WD4000系列半導體晶圓檢測設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，能實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數(shù)。自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同時生成Mapping圖；

2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數(shù)；

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數(shù)值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現(xiàn)膜厚測量功能；

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

測量功能

1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；

2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結構分析包括孔洞體積和波谷。

產(chǎn)品應用

可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)?？蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計300余種2D、3D參數(shù)作為評價標準。

WD4000系列半導體晶圓檢測設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。

應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。

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部分技術規(guī)格

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